2012年環評師考試案例分析講義精華63

    案例分析

    一、建設項目與相關產業政策的相符性分析

    "線寬1.2gm以下大規模集成電路設計制造"列入《產業結構調整指導目錄（2005年本）》中鼓勵類，是當前國家重點鼓勵發展的產業。2001年11月，國家發展計劃委員會和科學技術部頒發的《當前優先發展的高技術產業化重點領域指南》第17條規定，近期產業化的重點是：以加強集成電路設計為重點，積極支持集成電路設計和整機開發相結合，設計開發市場需求較大的整機產品所需的各種專用集成電路和系統級芯片，線寬0.18gm以下的深亞微米集成電路及配套的IP庫。擴大集成電路生產加工和封裝能力，提高工藝技術水平，擴大產品品種和生產規模；積極鼓勵國內外有經濟實力和技術實力的企業以及投資機構在國內建立國際先進水平的集成電路芯片生產線，提高我國集成電路生產技術水平。

    原國家經濟貿易委員會、財政部、科學技術部、國家稅務總局《關于印發<國家產業技術政策）的通知》（國經貿技術[2002]444號）的"四、重點產業技術發展方向，（一）高新技術及產業化"中明確：要優先發展深亞微米集成電路。

    本項目產品方案為8英寸0.35-0.18gm芯片和12英寸0.13-0.09gm芯片，屬深亞微米集成電路，符合國家產業政策要求。

    二、項目分析

    1.工程分析的基本要求和要點

    芯片生產的工藝復雜，約有數百道工序，使用50多種化學原料，其中包括20多種化學危險品。此類工程應給出全廠生產總流程和標示排污節點的工藝流程圖，并應有原、輔料消耗表。案例中將生產工藝概況為硅片清洗、氧化、光刻、蝕刻、擴散、離子植入、化學氣相沉積、金屬化、后加工等九部分是適宜的。鑒于此類項目須用多種有毒有害化學品，工程分析應作總物料衡算和主要污染因子，如氟、氯平衡。需要注意的是一些生產工藝會被重復多次，污染流程分析中應按照具體工序分別統計污染源和"三廢"排放量。

    2.污染源和污染物

    （1）廢氣

    芯片生產各工序涉及的有毒有害氣態污染化學物質包括：

    外延工序——SiH3、SiHCl3、SiH2Cl：、SiCl4、AsH，、B2H6、PH3、HCl、H：

    清洗工序——112SO'、H202、HN03、HCI、HF、H3P04、NH4F、NHaOH

    光刻工序——異丙醇、醋酸丁酯、甲苯、C12、BCl，、C：F6、C3F8、CF4、SF6、I-IF、HCl、NO、C3H8、HBr、H，S

    化學機械拋光——NH40H、NH4C1、KOH、有機酸鹽

    化學氣相沉積——SiH4、SiU：Cl：、SiHCl3、SiCl：、SiF4、CF4、B2H6、PH3、NH3、HCl、I-IF、NH9

    擴散、離子注入——書F3、AsH，、PH3、H：、Sill4、SiH2C12、BBr3、BCl3、B：1l

    金屬化工序：——SiH4、BCl，、AICl，、TiCld、WE6、TiF4、siF4、A1F3、BF3、sF6

    對于酸堿廢氣（HF、HCl、H2SO：、HN03、H3P04、C12、NH3）采用濕式洗滌塔處理，凈化效率為95%.

    對于特殊氣體（SiH4、PH，、AsH3）采用炭纖維加濕式洗滌塔處理，凈化效率為85％-90％。

    對于有機廢氣（VOC）采用沸石濃縮轉輪燃燒法處理，凈化效率為95％。

    （2）水污染物

    芯片生產排放的廢水及處理方法為：

    含氟廢水——來源顯影，刻蝕、CMP工序，處理方法為CaCl沉淀法

    酸堿廢水——來源清洗工序，處理方法為中和法

    純水制備再生廢水——來源活性炭或樹脂及沖洗水，處理方法為中和法

    洗滌塔廢水——來源酸、堿噴淋，處理方法為中和法

    研磨廢水——來源研磨工序，采用沉淀法處理

    生活污水——生化法處理

    （3）固體廢物

    危險廢物——硫酸廢渣。磷酸廢渣、顯影廢液、異丙醇廢液、硫酸銨廢液、廢有機溶劑、廢光刻膠、污水處理站污泥

    一般固體廢物——廢金屬、廢玻璃、廢塑料（有機溶劑容器除外）、廢芯片、可回收包裝材料

    生活垃圾

    3.清潔生產

    目前，國家公布的清潔生產名錄中，尚無集成電路的相關內容。環評中應在國內外類比調查基礎上從生產工藝、原材料、能源消耗等方面論證，用單位產品的物耗、能耗、水耗，污染物產生量和排放量指標量化分析。在原料清潔性評價中以下化學品應不使用或盡量少使用：①含氯的有機溶劑②氟氯烴③高毒化學品。

    以下幾個指標應在環評中關注：

    單位產品的原輔材料使用量——磷酸、硝酸、硫酸、鹽酸、氫氟酸、氫氧化銨、光刻膠、顯影劑、丙酮、異丙醇。

    單位產品的物耗、能耗指標——新鮮水、高純水、電、大宗工藝氣體、壓縮空氣、蒸汽、冷量

    單位產品污染物產生量和排放量——氯化物、HCl、硫酸霧、Cl：、硝酸霧、Sill4、磷酸霧、PH3＼AsHl＼VOCs、COD、NH、——N、SS、F、AOX、砷、硼、鎢。