浙江理工大學學術型碩士《半導體物理》2011年考研大綱

　　考試科目：半導體物理 代碼： 928 
　　一、主要參考書：《半導體物理學》，劉恩科等編著（第6版），電子工業(yè)出版社
　　二、考試大綱：
　　第一章 半導體中的電子狀態(tài)
　　半導體的晶格結構和結合性質(zhì)，半導體的電子狀態(tài)和能帶，半導體中的電子運動，有效質(zhì)量的概念，本征半導體的導電機構，空穴的概念，回旋共振，硅、鍺的能帶結構。
　　第二章 半導體中雜質(zhì)和缺陷能級
　　硅、鍺晶體及III-V族化合物中的雜質(zhì)能級，缺陷、位錯能級。
　　第三章 半導體中載流子的統(tǒng)計分布
　　狀態(tài)密度，費米能級和載流子的統(tǒng)計分布，本征半導體載流子濃度，雜質(zhì)半導體載流子濃度，一般情況下的載流子統(tǒng)計分布，簡并半導體。
　　第四章 半導體的導電性
　　載流子的漂移運動和遷移率，載流子散射，遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關系，波爾茲曼方程、電導率的統(tǒng)計理論，強電場下的效應，多能谷散射。
　　第五章 非平衡載流子
　　非平衡載流子注入與復合，非平衡載流子的壽命，準費米能級，復合理論，陷阱效應，載流子的擴散運動與漂移運動，愛恩斯坦關系式，連續(xù)性方程。
　　第六章 pn結
　　pn結的能帶圖，pn結電流電壓特性，pn結電容，pn結擊穿，pn結隧道效應。
　　第七章 金屬和半導體的接觸，半導體表面與MIS結構
　　金屬和半導體的接觸及其能級圖，金屬半導體接觸整流理論，少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸。表面態(tài)，表面電場效應，MIS結構的電容－電壓特性，硅－二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)，表面電導及遷移率，表面電場對pn結特性的影響。
　　第八章 半導體的光電、熱電、磁電和壓阻效應，半導體異質(zhì)結構
　　半導體的光吸收、光導電、光生伏特效應，半導體發(fā)光、激光。半導體熱傳導，熱導率，溫差電效應，溫差電動勢率，塞貝克效應，溫差電偶，帕爾貼效應，湯姆遜效應，霍爾效應，磁阻效應，光磁電效應，壓阻效應，異質(zhì)結。
　　三、題型比例：
　　名詞解釋 30%左右
　　選 擇 題 20%左右
　　問答和計算題 50%左右